通城聚焦三大產(chǎn)業(yè)集群，打造高端電子元器件生產(chǎn)基地和制造業(yè)強縣

4月16日，咸寧市政府新聞辦舉行“當好支點建設(shè)生力軍，加快打造武漢都市圈綠色發(fā)展重要增長極”系列主題新聞發(fā)布會（...

西電張金風教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進展

近日，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、張金風教授研究組在超寬禁帶半導體金剛石功率器件方向取得重要進展。在國際知名期刊《IEEEElectronDeviceLet...

深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴重，成為制約其發(fā)展的主...

第三代、第四代半導體襯底材料如何高效加工？器件散熱如何攻克？Carbontech半導體與加工主題論壇，上海見

金剛石半導體產(chǎn)業(yè)化在即金剛石半導體產(chǎn)業(yè)化在即！生長技術(shù)大幅度提升，金剛石從工業(yè)級-寶石級-熱學級-光學級-電子級，逐步躍遷，同時價格下行，帶動應用端的嘗試。市場需求驅(qū)動...

打破近30年記錄！哈工大金剛石半導體器件重大突破

單片集成互補邏輯電路與高速光互聯(lián)建立在無數(shù)金屬-半導體接觸基礎(chǔ)之上，而低電阻且耐久的歐姆接觸是制約超寬禁帶半導體光電子器件性能與應用的一大因素。近日，哈工大紅外薄膜與晶...

會議通知|2024半導體材料與電子元器件發(fā)展論壇

新能源車銷量不斷超預期 磁性元器件需求爆發(fā)

據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù)，2022年6月，新能源乘用車國內(nèi)零售銷量達到53.2萬輛，月零售銷量創(chuàng)新高，同比+131%，環(huán)比+48%，新能源車國內(nèi)零售滲透率27%，同比提升13pct...

鄭州大學金剛石光電材料與器件研究團隊榮獲“全國專業(yè)技術(shù)人才先進集體”稱號

11月3日，記者從河南省人社廳獲悉，近日，第六屆全國杰出專業(yè)技術(shù)人才表彰會在京召開，河南師范大學常俊標教授、河南...

金剛石半導體器件的研究進展

摘要:金剛石因其優(yōu)異的物理化學特性,被視為下一代電力電子器件的終極材料,金剛石半導體器件的制備受到了科研工作者的廣泛關(guān)注?文章對金剛石基二極管?開關(guān)器件和邊緣終止效應等...

補短板，電子元器件產(chǎn)業(yè)如何突破瓶頸？

閱讀提示眼下，我國已成為全球電子元器件第一大生產(chǎn)國，但無論是技術(shù)水平還是產(chǎn)業(yè)化能力，與國際先進水平相比都存在較大差距。如何補齊短板，成為工信部和相關(guān)行業(yè)、企業(yè)共同面臨的...

工信部：電子元器件產(chǎn)業(yè)迎重磅政策支持

工業(yè)和信息化部日前召開新聞發(fā)布會，記者從會上獲悉，工信部近日印發(fā)《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2021—2023年）》（下稱《行動計劃》），將面向智能終端、5G、工...

細數(shù)國外金剛石半導體材料和器件發(fā)展情況

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料（禁帶寬度＞4.5eV）的研究和應用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。這類半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及...

國內(nèi)手機市場不景氣出貨量暴跌20%：元器件廠商紛紛調(diào)整產(chǎn)能

自2017年底開始，全球手機市場就開始陷入出貨量同比下降的旋窩，2018年全球智能手機市場依然維持了下降的趨勢，且這種趨勢至今依然還未緩解，試圖通過5G帶動手機市場銷量...

我國第三代半導體器件制備及評價技術(shù)取得突破

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，具備高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子...

第五屆單晶金剛石及其電子器件國際研討會在西安召開

2018年6月9-12日，由陜西省科學技術(shù)協(xié)會、西安交通大學和單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發(fā)與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聯(lián)合主辦，陜西省真空學會、西安交通大學寬禁帶半導體材料與器...

我國碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備研發(fā)取得重大進展

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效降低能量轉(zhuǎn)化損耗和裝置的體積重量，滿足電力傳輸、機車索...

集成電路產(chǎn)業(yè)新突破 6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線在京成功通線

2018年2月1日,北京市高精尖項目——6英寸碳化硅器件生產(chǎn)線在北京世紀金光半導體有限公司成功通線。這是一條具有...

單晶金剛石及電子器件國際論壇會議通知

單晶金剛石及電子器件國際論壇（SCDE2017）將于2017年6月10日-14日在西安舉辦。本論壇是一個為各層次...

美國研發(fā)出金剛石/氮化硼晶體層可用于高功率器件

近日，北卡羅來納州立大學的材料研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種對新技術(shù)，將金剛石沉積在立方體氮化硼表面（c-BN），結(jié)合成一個新的單晶體結(jié)構(gòu)。“這種材料可以用來制造大...

新技術(shù)突破改善碳化硅功率器件

日本東京大學近日研發(fā)新型碳化硅絕緣薄膜生長技術(shù)，極大地改善了碳化硅功率器件的性能。高性能功率器件常用在高壓、大電...