手機資訊
官方微信摘要 名稱碳化硅中形成藍光發(fā)射二極管公開號1044549公開日1990.08.08主分類號H01L33/00分類號H01L33/00申請?zhí)?9109795.3 分案原申請?zhí)柹暾埲?989...
| 名稱 | 碳化硅中形成藍光發(fā)射二極管 | ||
| 公開號 | 1044549 | 公開日 | 1990.08.08 |
| 主分類號 | H01L33/00 | 分類號 | H01L33/00 |
| 申請?zhí)?/td> | 89109795.3 | ||
| 分案原申請?zhí)?/td> | 申請日 | 1989.12.14 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1988.12.14[33]US[31]284,293;[32]1989.8.28[33]U | |
| 申請人 | 克里研究公司 | 地址 | 美國北卡羅來納州 |
| 發(fā)明人 | 約翰·Ａ·埃德蒙 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人 | 付康 |
| 摘要 | 本發(fā)明包含有在碳化硅中形成的發(fā)光二極管，它發(fā)射介于約４６５至４７０ｎｍ，或介于約４５５至４６０ｎｍ，或介于約４２４至４２８ｎｍ波長的可見光。該二極管包含具有第一導(dǎo)電型的α型碳化硅的基片和在具有相同導(dǎo)電型的用作為基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延層。一個在第一外延層上的α 型碳化硅的第二外延層，具有與第一層相比相對高的導(dǎo)電型，并與第一外延層形成一個Ｐ－N結(jié)。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003604號